WSi₂靶依靠磁控溅射PVD成膜，薄膜低阻、耐高温、与硅基材相容性好、高温自生成SiO₂钝化层抗氧化，核心主战场：半导体微电子，其次显示、光电子、高温防护、MEMS、科研镀膜。

一、集成电路/半导体芯片（最大用量）

1. 逻辑IC（CMOS、先进制程7/28nm）

1. 多晶硅栅极硅化分流层：覆在多晶硅字线上方做硅化层，大幅降低栅极方块电阻、减少信号延迟，是传统MOS栅极标配工艺；

2. 源漏欧姆接触层：硅基底与金属引线中间低阻接触膜，WSi₂/Si接触电阻低至10⁻⁷Ω·cm²，优化器件导通性能；

3. 局部互连+扩散阻挡层：阻隔Al/Cu金属向硅扩散，防止芯片漏电、短路，用于通孔/钨栓塞侧壁阻挡膜。

2. 存储芯片 DRAM/3D NAND

- DRAM：位线导电层、电容上电极、存储单元隔离层，高温制程稳定、漏电远低于TiN薄膜；

- 3D NAND：垂直沟道栅叠层、阶梯孔接触导电膜，耐受多层高温退火与阶梯刻蚀。

3. 功率半导体（SiC/GaN射频器件）

SiC MOSFET肖特基接触层、GaN HEMT高频器件场板金属化，耐高温、低寄生电阻，适配新能源车载功率芯片、射频功放芯片。

4. 前沿量子/超导器件

超导量子比特屏蔽膜、超导纳米线单光子探测器薄膜（红外探测），用于天文探测、量子通信光敏芯片。

二、平板显示行业（LCD/OLED/TFT）

TFT液晶背板栅极导线、源漏信号线薄膜，替代部分铝布线，耐高温制程、抗电迁移，提升显示屏稳定性与良品率；中小尺寸OLED像素导电缓冲层。

三、MEMS微机电与传感器

1. 压力传感器、加速度计：耐高温电极、结构保护层；

2. 微型芯片加热器、微流控器件电热薄膜，高温环境下导电稳定不氧化。

四、光伏与光电器件

1. 晶硅/钙钛矿叠层电池：电极缓冲层、减反导电薄膜，提升光电转化效率；

2. 红外光电探测器、光纤通信感光元件导电膜，近红外响应灵敏。

五、高温防护&航空航天功能涂层

1. 航空发动机热端零件、高超音速飞行器隔热抗氧化涂层，高温氧化生成致密SiO₂保护膜，1500℃长效抗氧化；

2. 工业高温炉管、高温发热元件、热电偶套管耐磨导电防护膜；

3. 5G射频器件EMI电磁屏蔽薄膜，高导电实现射频元器件电磁兼容防护。